技术编号：2742122
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多晶硅层及具有该多晶硅层的器件，尤其涉及一种薄 膜晶体管(TFT)的多晶硅层及具有该多晶硅层的器件。背景技术薄膜晶体管(TFT)的有源沟道区通常由多晶硅材料制成，因而包括有晶 界。在晶界中，存在诸如悬空键(dangling bond)和变形键(strained bond)的缺 陷，且这些缺陷作为电荷载流子的陷井。因此，诸如晶粒尺寸、晶粒尺寸均匀度、晶粒数量、晶界位置和晶界 倾角的参数影响TFT的特性，诸如阈值电压、亚阈值斜率(sub-thre...
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