技术编号：27460551
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种优化腔室设置的线式pecvd设备技术领域.本实用新型涉及一种优化腔室设置的线式pecvd设备。背景技术.在hjt设备产品制备过程中，需要将硅片置于载板，通过载板进入cvd气相沉积设备内进行等离子化学气相沉积反应，对气体进行电离并附膜在硅片上。当前的设备存在如下问题：.硅片进入cvd气相沉积设备前需要较长的等待时间，硅片暴露在空气中的时间过长，影响产品的整体性能；.cvd气相沉积设备各腔室工作时长不一致，影响整线的产能；.不同沉积腔室的等离子及副产物相互交叉污染，影响产品的质量和性能...
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