负性深紫外光刻胶的制作方法技术资料下载

技术编号:2752402

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本发明涉及一种新型负性作用深紫外(UV)光刻胶,其包含聚合物、光酸产生剂和交联剂。该光刻胶特别可用于用193纳米(nm)和157nm的曝光波长成像。本发明还涉及一种将该新型光刻胶成像的方法。背景技术光刻胶组合物用于微平版印刷工艺中用于制造微型化电子元件,例如制造计算机芯片与集成电路。一般,在这些工艺中,首先将光刻胶组合物的薄膜涂覆到衬底材料上,例如用于制备集成电路的硅片。然后烘烤经涂覆的衬底以蒸发在光刻胶组合物中的溶剂并将涂层定影于衬底上。随后将经烘烤的、...
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