技术编号：2754084
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体制造的方法，并且更加具体地涉及用于减轻双曝光工艺 中抗蚀剂图案关键尺寸(CD)变化的方法。背景技术半导体集成电路通常使用光刻技术制造。在光刻工艺中，光抗蚀剂层在衬底如硅 晶片上淀积。对衬底进行烘焙以去除保留在光抗蚀剂层中的溶剂。通过具有所需要的图案 的光掩模将光抗蚀剂曝光于光化辐射的源。辐射曝光在光抗蚀剂的曝光区域内引起化学反 应，并且在光抗蚀剂层中产生了对应于掩模图案的潜像。继而在显影剂溶液中显影光抗蚀 齐U，以便对于正性光抗蚀剂去...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。