技术编号：27556471
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请说明书所公开的技术涉及热处理装置。背景技术.在半导体器件的制造工艺中，杂质导入是用于在半导体晶片等的薄板状精密电子基板(以下，有时简称为“基板”)内形成pn结等必要的工序。杂质导入通常通过离子注入法和之后的退火法来进行。.当注入的杂质通过退火处理被活性化时，若退火时间为数秒左右以上，则被注入的杂质受热而深度扩散，其结果，接合深度会比要求的深度过深，从而存在可能妨碍形成良好的器件的担忧。.因此，作为在极短时间内加热半导体晶片的退火技术，闪光灯退火(flash lamp anneal...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。