技术编号：2757676
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光学器件领域，尤其涉及一种光学晶体器件，用以消除Work-off效 应，提高转化效率和倍频光的功率密度。背景技术在激光非线性频率转换领域，有些晶体存在较大的Walk-Off效应。对于II类角 度相位匹配，由于Walk-Off效应的影响，o、e光传播一段距离后就会分离，导致相互作用区 间减小，直接限制了晶体的频率转换效率；对于I类相位匹配，基频光在非线性晶体中产生 倍频光后，在Walk-Off效应的作用下，产生的倍频光(e光)与基频光分离，基频光在...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。