技术编号:27615698
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于薄膜晶体管技术领域,具体涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法与应用。背景技术.公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。.氧化物薄膜晶体管(tft)是一种场效应晶体管。在上个世纪三十年代lihenfield首先提出场效应晶体管的原理,即以一个强电场在半导体表面引发一种电流,通过控制电场的强度来调节半导体表面电流的大小。这种工作模式类似一个电容器,源漏电极之间的导电沟道可看...
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