技术编号：2765249
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在绝缘基板或在形成于基板上之绝缘膜上形成TFT(薄膜晶体管)之有源区域的一种，尤其涉及对于有源矩阵型液晶显示器件等有用的一种。关于在玻璃等绝缘基板上设有TFT之半导体器件，公知者有将此等TFT用于有源矩阵型液晶显示装置像素之驱动及图像传感器等。通常使用薄膜状之硅半导体作为于此等器件中之TFT之有源区域。此薄膜状之硅半导体，可大别为两种，亦即由非晶态硅(a-Si)半导体构成者及由晶态硅半导体构成者。前者之非晶态硅半导体，其制造温度低，采气性生长法可...
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