技术编号:27910145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种背接触型太阳能电池单元的制造方法。背景技术.近年来,作为高转换效率的结晶类太阳能电池,正在积极开发一种被称为交叉背接触型太阳能电池(ibc:interdigitated back contact)的结构单元,其在结晶硅基板的背面设置有n扩散层和p扩散层并在其表面上形成有背面电极。另外,正在研究为了提高特性而利用氧化膜或氮化膜来覆盖太阳能电池单元的结晶硅基板的两面以减少发电的电力损失的结构。.在通常的硅太阳能电池结构中,设置有太阳能电池受光面(主面)侧的电极和背面侧的电极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。