技术编号：28014258
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及一种尖峰电压抑制电路，尤其适合应用碳化硅器件的隔离变换电源。背景技术.隔离变换拓扑中的原边绕组和次边的二极管，在高频状态下，由于功率开关管的反复动作必然导致较大尖峰电压，尖峰电压不仅带来电磁干扰问题，过高的尖峰还会损坏器件，影响电源的稳定性。.碳化硅器件的使用，提高了功率开关管的开关频率，使尖峰电压问题更明显，也更难抑制。传统的尖峰抑制电路中常用两种方案：一是有损吸收电路，即rc电路或者rcd电路；二是无损缓冲电路，即ddc电路。rc或者rcd 电路用于吸收尖峰电压，如图所示...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。