技术编号：2808352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米加工，尤其涉及一种在厚负性高分辨率电子 束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法。背景技术电子束曝光技术(包括电子束直写曝光与投影式曝光)是现代微纳加 工的重要手段，也是下一代光刻技术的有力候选者。抗蚀剂在电子束光刻 技术中充当重要的角色，对图形转移的成败以及质量都起到决定性作用。常用的电子束光刻抗蚀剂有PMMA、 ZEP520、 SAL601等。虽然前两 者都具有较高的分辨率，但PMMA的抗等离子体刻蚀的掩蔽性能差； ZEP520在显影或经等离子...
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