技术编号：2808947
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基材制程的领域，特别是涉及一种蚀刻基材的方法及系统以改善关键尺寸均匀度(critical dimension uniformity; CDU )。 背景技术在半导体制造技术中，掩模(亦指光掩模，photomask或reticle)是 用于微影系统，已将图案曝光于基材上。图案可包括许多小型或紧密的特 征，其中所述小型或紧密的特征是藉由关^;尺寸(critical dimension; CD)定义。关键尺寸定义例如闸极宽度、组件制程所容许的较小线宽或...
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