技术编号:28099535
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及等离子体技术领域,具体而言,涉及一种聚变装置中原位制备钨膜的方法。背景技术.面向等离子体材料(pfm)的制备问题是聚变能应用能否成功的关键工程问题之一。pfm将作为直接面对高温等离子体的盔甲材料,遭受着高温、高热负荷、强束流粒子与中子辐照等的协同组合作用。钨(w)具有高熔点、低溅射产额、良好的热导率与高温强度,以及不易与氢形成混合物或发生共沉积等优点,被认为是未来聚变堆pfm 的首选材料体系,但是目前尚没有合适的方法可以在聚变装置真空腔中实现原位镀钨膜。现有聚变技术中由于镀钨膜的...
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