技术编号:28150855
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及一种气相外延系统,特别涉及一种氢化物气相外延系统,属于晶体生长技术领域。背景技术.气相沉积(vpe)是一种化学气相沉积(cvd),涉及将一种或更多种包含化学物质的气体引导到衬底的表面,以使得反应物质在衬底的表面上发生反应并形成膜。例如,vpe可以用于在衬底上生长化合物半导体材料。衬底典型地是盘片形式的结晶材料,通常被称作“晶片”。典型地,材料通过将至少第一和第二前驱体气体注入到容纳有结晶衬底的工艺室中来生长。.化合物半导体例如iii‑v族半导体可以通过采用氢化物或卤化物的前...
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