技术编号：28217589
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体放电加工技术领域，具体涉及一种提高半导体材料放电加工效率的进电端表面预处理方法。背景技术.半导体材料因其具有独特的物理化学性质，广泛地应用在国防、通讯、电子、航空航天、高能物理、光学等领域，且随着科技的发展，其需求量越来越大。.由于半导体具有高脆性、高硬度和低断裂韧性的特点，常用的内圆切割和砂线切割等以依靠机械磨削作用去除材料的传统的加工方法极易导致硅晶体崩碎、断裂，可加工性较差。尤其涉及到一些特殊零件的加工，例如我国大科学装置中单色器所需的硅片，为了避免加工中出现晶格畸...
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