技术编号：28246914
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种全超结mosfet器件结构技术领域.本实用新型涉及超结mosfet器件的设计和工艺制作领域，具体涉及一种全超结mosfet器件结构。背景技术.超结mosfet器件的基本结构是由交替排列的p柱和n柱组成。在器件处于阻断状态时，超结结构中的p柱和n柱完全耗尽，在漂移区横向电场的调制下，器件的纵向电场趋于均匀分布。理论上超结结构的耐压能力仅依赖于漂移区的厚度，而与掺杂浓度无关，因此超结结构打破了传统功率器件导通电阻受击穿电压限制的“硅极限”，使ron‑vb关系从.次方变为.次方。因此...
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