技术编号：28265552
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于金刚石场效应晶体管器件技术领域，更具体地说，是涉及一种金刚石场效应晶体管及制备方法。背景技术.目前，金刚石场效应晶体管的研究主要基于氢终端结构的二维空穴气导电，氢终端金刚石暴露在空气中若干小时，表面会出现某些带电离子(如hco，oh‑，hco‑，no‑等)组成的吸附物，由于氢终端金刚石负的电子亲和势，其表面的电子会转移到吸附层中，从而在金刚石表面产生一层二维空穴气，形成p型导电沟道。目前氢终端金刚石的载流子迁移率通常<cm/v·s，方阻～,...
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