技术编号:28377260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体制造领域,特别是涉及一种自支撑氮化镓衬底的制作方法。背景技术.以氮化镓(gan)及其合金为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,它具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、导热性能好、结构稳定等诸多优异性能,在光电子和微电子技术领域都具有巨大的应用前景。光电子领域中,由于iii族氮化物的禁带宽度在.-.ev范围内连续可调,覆盖了从红光到紫外的波段,可制作绿色、蓝色乃至紫外波段发光器件以及白光照明。此外,最近兴起的紫外光led在丝网印...
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