技术编号:28422591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体元件制备领域,特别涉及一种滤波器用压电衬底结构及其制备方法。背景技术.声表面波滤波器集低插入损耗和良好的抑制性能于一身,不仅可以实现宽带宽,其体积还比传统的滤波器小得多,可满足高集成度的需求。现有技术中,声表面波滤波器所用的压电衬底结构从上至下依次包括:压电薄膜层、低声阻层(一般为氧化硅层)、衬底层。其中,低声阻的作用是阻挡压电薄膜层中的信号向衬底层泄露,以减少声表面波滤波器的射频信号损耗。.现有技术中,以压电薄膜层为钽酸锂薄膜材料为例,制备压电衬底结构的方法一般包括以下...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。