技术编号:28483531
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及电子电路技术领域,尤其涉及一种短路保护装置、目标电路的短路保护方法及功率变换设备。背景技术.电力电子器件,如金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field-effect transistor,mosfet)和绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt),导通速度快,开关损耗低,能量密度高,但是其耐压以及过流能力相对较低,发生损坏时,器件短路或者断路,易造成系统事故进一步扩大,限制了其进...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。