技术编号：2850461
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供。等离子体刻蚀方法基于的等离子体设备包括反应腔室、下电极和射频电源，在所述反应腔室的顶部设有介质窗，所述射频电源从所述介质窗向所述反应腔室内施加射频能量，用于承载加工件的所述下电极设置在所述反应腔室内的底部并与所述介质窗相对，向所述下电极施加功率，并使所述下电极的电位低于所述介质窗的电位。该等离子体刻蚀方法可以减少晶片表面缺陷的数量。专利说明[0001]本发明属于微电子加工，具体涉及。背景技术[0002]等离子体刻蚀技术是加工诸如芯片等半导体器件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。