技术编号：28594510
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种pn结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法技术领域.本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种pn结基极耦合的氮化镓肖特基二极管及制备方法。背景技术.三族氮化物肖特基势垒二极管得益于其低正向压降和快速反向恢复优势，被认为适合低损耗和高频整流应用。然而，受限于氮化镓独立式衬底的小晶片尺寸和高成本，氮化镓自衬底肖特基二极管很难在不久的将来实现大规模商业应用。因此，在其他低成本和大尺寸衬底上的准垂直氮化镓二极管，在某种程度上具有垂直功率器件的优点和硅衬底的成本效益，对于大规模生产和应用非常有...
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