技术编号：28664339
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法，更具体的说是利用沟道引导和限制技术获得超细密排晶硅纳米线 (nanowire) 的方法，尤其涉及利用hsq和ebl来制备出自限制密排沟道的方法。背景技术.半导体晶硅纳米线（nanowire）由于其具有较高的载流子迁移率，并且高效稳定同时具有可靠的掺杂工艺等优势，是现代微电子技术的核心材料，在这里本申请发明人最早提出了一种平面固液固（ip sls）生长模式：其中，采用非晶硅作为前驱体，由低熔点金属铟、锡纳米颗粒吸收非晶硅进而生长出晶硅纳...
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