技术编号：28736206
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体器件技术领域，更为具体地说，涉及一种鳍式场效应晶体管及其制作方法。背景技术.在半导体超大规模集成电路的发展过程中，晶体管在cmos器件按比例缩小(scaling)的引导下，密度和性能遵循摩尔定律得到持续化和系统化增长。但是当器件的特征尺寸(cd，critical dimension)进一步下降时，即使采用后栅工艺，常规的mos场效应管的结构也已经无法满足对器件性能的需求，多栅器件作为常规器件的替代得到了广泛的关注。鳍式场效应晶体管(finfet)是一种常见的多栅器件，但是现...
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