技术编号:28754133
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及工艺优化的功率半导体器件。背景技术.功率半导体器件亦称为电力电子器件,包括功率二极管、晶闸管、vdmos (垂直双扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管、ldmos(横向扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管以及igbt(绝缘栅双极型晶体管)等。vdmos场效应晶体管包括在半导体衬底的相对表面上形成的源区和漏区,在导通状态下,电流主要沿着半导体衬底的纵向流动在功率半导体器件的高频运用中,更低的导通损耗和开关损耗是评价器件性能的重要指标。.在vdmos场效...
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