技术编号:28804902
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种光刻薄膜层的形成方法。背景技术.在半导体集成电路制造业中,光刻工艺是最为重要的工序之一。在先进制程(纳米及以下的工艺节点)的光刻工艺中,光阻的厚度较小,仅仅覆盖光阻无法满足刻蚀阻挡的要求。.鉴于此,相关技术中提供了一种光刻方法,其包括:在衬底表面形成平坦化底层抗反射层(又称为“旋涂的碳”层,spin-on-carbon,soc层);在soc层上形成硬掩模层;在硬掩模层上覆盖光阻;进行曝光、显影。其中,在光刻过程中形成soc层的目的主要是使高低...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。