技术编号：28809005
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器。背景技术.随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成d或者平面nand闪存的存储密度接近上限。.为克服d或者平面nand闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(d nand)，d nand存储器具有栅极隔槽(gate line slit，简称gls)，以在存储器上划分多个存储块。.在相关技术中，通过在相邻两个栅极隔槽之间形成顶部选择栅切线(top...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。