技术编号：28957226
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及纳米光刻与光学计量技术领域，具体涉及一种光刻质量的优化方法、装置、电子设备、介质及程序产品。背景技术.表面等离子体以束缚在金属介质交界面上的倏逝波的形式进行传播。倏逝波具有指数衰减的特性，通过金属介质单元周期性分布的形式，进行倏逝波的耦合、放大、传输、汇聚与成像。因此，基于表面等离子体的纳米光刻技术，通过金属介质单元的周期性分布，将掩模上的图案曝光成像在光刻胶中。纳米光刻工艺的可靠性和稳定性，依赖于光刻胶空间像的对比度和强度。因此，金属膜层表面的粗糙度对纳米光刻的质量具有不可忽视...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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