技术编号：28959907
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及氧化镓料棒制备工艺，特别是涉及一种在接近常压的条件下，通过气相沉积制备氧化镓料棒的装置和方法。背景技术.随着社会科技的发展，在量子信息、可再生能源、人工智能等高新技术领域需求的推动下，对半导体器件在微电子、光电子、磁电子、热电子等多功能器件技术上提出了更高的要求，目前第三代半导体技术持续发展，已经在功率器件、光探测、光显示等技术邻域广泛应用，而第四代超宽禁带半导体材料在性能方面更优，因此逐步成为国内为研究学者的研究重点。.氧化镓晶体是一种超宽禁带半导体材料，其具有禁带宽度大(e...
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