技术编号：28960413
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术.现有技术中，为了克服短沟道效应，提出了鳍式场效应晶体管的立体器件结构，鳍式场效应晶体管是具有鳍型沟道结构的晶体管，鳍式场效应晶体管利用薄鳍的几个表面作为沟道，从而可以防止传统晶体管中的短沟道效应，同时可以增大工作电流。.然而，随着半导体工业在追求更高的器件密度，现有的鳍型沟道结构的关键尺寸需要进一步缩小，从而，鳍型沟道的尺寸也被缩小，导致鳍式场效应晶体管的工作电流减小，无法满足器件性能需求。为了在满足更高的器件密度的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。