技术编号:29038195
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于加工半导体晶体管的方法.本申请是申请号为.x,申请日为年月日,发明名称为“高电子迁移率晶体管”的专利申请的分案申请。技术领域.本发明是有关于半导体装置,特别是有关于用于加工半导体晶体管的方法。背景技术.高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt),也被称为异质结构fet(hfet)或调制掺杂fet(modfet),是一种在其中形成信道层与电子亲和力小于信道层的阻挡层之间的异质结的场效应晶体管(...
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