技术编号：29064857
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及碳化硅二极管的制备技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅功率二极管的制备方法及其应用。背景技术.碳化硅功率器件终端结构一般有结终端扩展(jte)、场限环(flr)和场板(fp)。其中场限环终端是常用的终端结构，其优点是p场限环的制作可以和sic jbs二极管有源区的p区一起制作，工艺简单且成本低。.现有的技术手段往往通过同一离子注入过程使有源区及终端区内p区的结深相同，而在实际使用过程中往往需要使终端区场限环的结深比有源区内p区的结深更深。为了实现这一目的，现有技术中需要重...
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