技术编号：29069994
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有局部腔结构的晶片和制造方法。背景技术.当使用体半导体晶片(bulk semiconductor wafer)形成时，诸如射频开关的器件结构容易受到高电容和主体间(body-to-body)泄漏的影响。为了减轻这些问题，可以使用绝缘体上硅晶片来代替体晶片。绝缘体上硅晶片包括掩埋绝缘体层，该掩埋绝缘体层设置在提供器件结构的有源器件区域的主体与位于该掩埋绝缘体层下方的衬底的主体之间。减轻高电容和主体间泄漏的影响的另一种措施是提供围绕器件结构的有源器件区域的三...
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