技术编号：29070186
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种离子交换制备碲镉汞(hgxcd-xte)量子点的方法，属于量子点制备技术领域。背景技术.量子点作为零维半导体材料，具有比表面积大、表面活性高、可溶液加工、带隙可调、荧光量子效率高及多激子效应等特性，在光伏器件、医学成像、光通信、显示等领域具有良好的发展前景和应用价值。高质量量子点的合成是制备光电器件的前提，其中红外量子点包括ⅳ族(si，ge，gesn)，ⅴ族(inas，insb)，ⅳ‑ⅵ族(pbs，pbse，pbte)，ⅵ族(hgcdte，hgse，hgte)，ⅰ‑ⅵ族(a...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。