技术编号：29072198
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、电子装置及其制备方法及显示装置。背景技术.传统的薄膜晶体管器件的沟道层(半导体层或有源层)是平行放置的，沟道两边的源极/漏极和沟道层的电导通必须通过过孔走线实现，沟道层和源极/漏极的过孔走线占用面积大，不利于减小薄膜晶体管的体积，从而不利于提高图像的采样率(pixels per inch，ppi)。发明内容.有鉴于此，本申请提供一种能够减小膜晶体管的体积，从而提高图像的采样率的薄膜晶体管、电子装置及显示装置。.本申请还涉及一种电子装...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。