技术编号：29075198
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种基于增强型器件的自终止刻蚀方法及利用该方法获得的器件。背景技术.gan与第一代、第二代半导体材料相比，gan材料禁带宽、击穿电场高、电子饱和漂移速度高，而且耐高温、抗辐射，因此在高频、高功率电子领域具有广泛的应用潜力。algan/gan异质结界面处由极化效应产生的二维电子气所制备的高电子迁移率晶体管(hemt)是目前主要应用的平面结构gan基功率器件，兼具高耐压、高功率密度、高工作速度等优势。.然而传统的基于algan/gan异质结器件由于存在自发极...
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