技术编号:29081702
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。过滤阴极电弧法制备高性能basno基透明导电薄膜技术领域.本发明涉及显示材料技术领域,特别涉及过滤阴极电弧法制备高性能basno基透明导电薄膜。背景技术.透明导电氧化物(tco)薄膜,如常见的ino和zno及其掺杂体系薄膜,能作为平板显示器中薄膜晶体管(tfts)的有源层和电极层,本征或la、gd掺杂的basno(bto、blto、bgto)单晶的电子迁移率(cm/v.s),比zno和ino单晶的电子迁移率(cm/v.s)要高,且ba、sn等金属元素比稀有金属i...
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