技术编号：29234228
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明大体上涉及一种半导体器件。更确切地说，本发明涉及一种具有共形连接结构的氮化物半导体器件。背景技术.近年来，例如高电子迁移率晶体管(hemt)的氮化物半导体器件在例如高电力切换和高频率应用的半导体技术和装置的发展中已经非常普遍。这些装置利用两种具有不同带隙的材料之间的异质结界面，且电子累积在界面处并形成二维电子气体(deg)区，这满足高电力/频率装置的需求。除了hemt之外，具有异质结构的装置的实例还包含异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂fet(mo...
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