技术编号:29254999
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。igbt器件及其制造方法技术领域.本申请涉及igbt器件技术领域,具体涉及一种igbt器件及其制造方法。背景技术.igbt(绝缘栅双极型晶体管,isolated gate bipolar transistor)是电力电子系统能量控制和转换的重要开关元器件之一,它的性能好坏直接影响着电力电子系统的转换效率、体积和重量。igbt器件的性能始终是朝着更高的电流密度、更小的通态压降、更低关断损耗的方向发展。.传统的igbt是基于正面trench mos结构,而华虹宏力所研制的新型igbt是基于正面...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。