技术编号：2925634
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体加工系统，尤其涉及在离子注入期间衬底相对于离子束的移动控制。背景技术 在半导体工业中，为了在衬底上达到各种效果，通常在衬底(例如，半导体工件)上进行各种制作工序。例如，可在衬底上即衬底内进行处理(如注入)，以获取特定的特征，例如通过注入特定类型的离子以限制该衬底上介质层的扩散能力。通常，离子注入工序或者以其中多个衬底同时处理的批次处理，或者以其中单个衬底被处理的连续处理方式进行。例如，传统的高能量或高电流批次离子注入机可用来获得短离子...
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