技术编号：2926367
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用含有碳和卤素的气体，对形成在例如半导体晶片等基板上的被蚀刻膜进行蚀刻的技术。背景技术 在半导体器件或LCD基板的制造过程中，包括进行薄膜形状加工的蚀刻工序，作为进行此工序的装置，使用了各式各样的装置。作为其中一个例子，例如有平行平板型的等离子体蚀刻装置，在此装置中，例如在腔室内配置有由一对上部电极和下部电极组成的平行平板电极，在将处理气体导入腔室内的同时，在一个的电极上施加高频，在电极间形成高频电场，由该高频电场形成处理气体的等离子体，例如对...
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