技术编号：29302935
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置.关联申请.本申请享受以日本专利申请－号(申请日：年月日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域.本发明的实施方式涉及半导体装置。背景技术.mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor)等半导体装置被用于电力转换等用途。关于这样的半导体装置，期望的是良品率高的半导体装置。发明内容.本发明的实施方式提供良品率高的半导体装置。.实施方式的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。