技术编号:29350727
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及金刚石薄膜的化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种增加金刚石在碳化硅衬底上成核密度的方法。背景技术.金刚石具有优异的光学、电学、机械和热学性能,因此具有巨大的应用潜力。特别是金刚石薄膜具有宽带隙、光学透明性和异常高导热性的特点,是一种理想的半导体材料。在高密度集成电路封装材料、保护涂层、电化学电极等高科技领域具有良好的应用前景。近年来,利用微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)方法生长金刚石薄膜的研究受到了越来越多的关注,因为即使是多晶金刚石也比大多数现有的晶体具有更大的优势。特别是...
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