技术编号：2936816
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种检测方法，尤其涉及一种。背景技术在等离子体环境下进行的半导体硅片加工工艺有很多种，包括刻蚀、物理气相镀膜、 化学气相镀膜等，这些半导体硅片加工工艺都是在等离子体的环境下进行，因此对等离子 体密度以及等离子体密度的均匀性都有较高的要求。在进行半导体硅片加工工艺和硬件的 设计过程中， 一般都要检测半导体硅片加工过程中的等离子体密度的分布情况。通常使用的可以检测等离子体密度的方法就是使用朗缪探针测量，朗缪探针是根据等 离子体鞘层理论，测量流过加着外...
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