技术编号：29384600
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请属于半导体装备技术领域，具体涉及一种基座组件及半导体工艺设备。背景技术.硅外延工艺温度一般在℃-℃，且在不同的温度下进行适应的工艺步骤，故对反应腔室实际的温度控制要求较高。当前，反应腔室在首次校温后，石墨基座的各部分受热均匀；在工艺过程中，采用红外高温计对石墨基座进行测温，来反馈反应腔室内的温度。然而，石墨基座依靠三叉结构支撑，且三叉结构与石英旋转轴连接，在石墨基座旋转测温时，三叉结构周期性遮挡测温点，且由于三叉结构的材质与其他位置不同，从而相对于其他测温点，会出现三个...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。