技术编号：2938657
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种离子束产生装置。尤其涉及一种霍尔型离子源，其 在真空环境下，通入气体获得低能大束流的离子束，适用于工业离子束辅助 沉积镀膜工艺。背景技术离子源早期被研究用于空间推进之用，目前已用于真空镀膜离子束辅助沉积 (IAD)过程。在离子束辅助镀膜过程中，离子源发射出的离子束投射到基片上， 对薄膜表面进行轰击，使得沉积薄膜的密度增加，改善薄膜的生长模式，其工作范 围在10,a数量级。美国专利4862032介绍了一种端霍尔离子源(End-Hall Io...
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