技术编号:29401138
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体集成电路领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术.随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件朝着更高的元件密度,以及更高集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用,因此随着半导体器件密度和集成度的提高,平面晶体管的特征尺寸也越来越小。.为了更好的适应特征尺寸的减小,半导体工艺逐渐开始从平面晶体管向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡,如鳍式场效应晶体管(finfet)。鳍式场效应晶体管能够提高半导体器件的集成度,且鳍式场效应晶体管的栅极结构能够从...
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