技术编号:29401278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种进气组件及其等离子体处理装置。背景技术.在半导体技术领域中,等离子体刻蚀是半导体工艺中最重要的技术之一。等离子体刻蚀工艺是将光刻工艺的图形层上图案刻蚀转移至基底材料上,来实现掩膜到基底材料的图形复制。在等离子体刻蚀工艺过程中,需要在等离子体反应腔内部通入反应气体,所述反应气体在转化为等离子体后对基底材料进行刻蚀。.然而,传统的等离子体处理装置中的进气组件向反应腔内进气的情况不可调,使反应腔内等离子体的分布均匀性难以调节,因此,迫切需要一种具有进气调节...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。