技术编号：29423024
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种cu掺杂的tixoy薄膜忆阻器及制备方法技术领域.本发明涉及半导体薄膜器件领域，具体涉及一种cu掺杂的tixoy薄膜忆阻器及其制备方法。背景技术.chua教授在年首次提出忆阻器的概念，忆阻器作为第四种基本元器件，是一种具有记忆特性的二端元件。自chua教授提出忆阻器概念之后的近三十年的时间里,由于现实中没有相应的实物验证，忆阻器在科学界并未引起足够的重视。直到年，惠普实验室首次制造出忆阻器实物模型，首次将实物器件与忆阻器概念联系起来。此后，由于忆阻器潜在的应用价值，极大地...
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