技术编号:29575232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明总体上涉及电子器件,并且更具体的,涉及一种半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统。背景技术.自d nand技术应用于实际生产,人们对于容量及成本的追求,使得叠加层数越来越高,由层增加到目前的层,以及后续,层。.随着叠加层数的增加,以及堆叠层减薄和沟道孔的尺寸增加,栅极层填充的难度也会随之增加,比如栅极层填充中会产生气隙,从而导致栅极层中的氟扩散。栅极层中的氟气体会向上下层间绝缘层扩散、向沟道结构中扩散,以及向阵列共源极中扩散。氟会侵蚀或攻击这些结构使其遭到...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。